[헤럴드경제=김지헌 기자] 삼성전자가 8세대 V낸드 양산에 들어간다고 7일 밝혔다.
삼성전자의 ‘1Tb 트리플레벨셀(TLC) 8세대 V낸드’는 최고 수준 데이터 용량을 확보하면서도, 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수) 역시 최고 수준이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 향상돼 삼성전자의 원가경쟁력을 강화할수 있을 것으로 기대된다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 ‘토글(Toggle) 더블데이터레이트(DDR) 5.0’이 적용돼 최대 2.4Gbps(기가비트퍼세컨드)의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드보다 약 1.2배 향상됐다. 또 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
앞서 삼성전자는 지난 8월 ‘플래시 메모리 서밋’과 10월 ‘삼성 테크 데이’에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다.
2002년부터 낸드플래시 1위 자리를 지키고 있는 삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하고 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.
2024년 9세대 V낸드 양산, 2030년까지 1000단 V낸드 개발 등을 지속할 계획이다. 지난 7월부터 평택 3라인에 낸드플래시 양산을 위한 웨이퍼를 투입해 시장 지배력을 더욱 강화하고 있다. 특히 시장 성장성이 높은 데이터센터, 인공지능, 전장 시장 등에서 메모리 솔루션을 공급해 나갈 계획이다.
최근 전장 시스템의 수준이 올라가고 차량 한대에 들어가는 메모리 탑재량과 사양이 높아지고 있다. 향후 자율주행 시대가 열리면 차량용 데이터센터 수요도 늘어날 전망이다. 전장 시장은 2030년 이후에는 서버, 모바일과 더불어 3대 응용처가 될 것으로 예상된다는 분석도 나온다. 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5X, GDDR7, 서버급 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 같은 고성능·고사양 제품 라인업을 선제적으로 마련하여, 이른바 ‘바퀴달린 서버’의 개념을 구체화할 계획이다. 삼성전자 관계자는 “이를 기반으로 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위 달성에도 나설 것”이라고 설명했다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아지면서 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”며 “8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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