모바일용 D램 ‘LPDDR5T’ 출시

전작 대비 속도 13%↑

SK하이닉스가 개발한 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T' 모습 [SK하이닉스 제공]
SK하이닉스가 개발한 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T' 모습 [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김지헌 기자] SK하이닉스가 현존 최고속 모바일용 D램 ‘저전력 더블 데이터 레이트 5터보’(LPDDR5T)를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다.

LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 ‘저전력 더블 데이터 레이트 5X’(LPDDR5X)의 성능을 업그레이드한 제품이다. 회사는 이번 신제품의 동작속도를 기존 LPDDR5X보다 13% 빨라진 9.6Gbps(기가비트 퍼 세컨드)까지 높였다. 이처럼 최고속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 회사는 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보(T)’를 붙여 제품명을 자체 명명했다.

LPDDR이란 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 5G 스마트폰 시장이 확대되면서 제품 수요가 증가하고 있다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 SK하이닉스는 1→2→3→4→4X→5→5X 순으로 제품을 개발해왔다. LPDDR5T는 국제반도체표준화기구가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다.

SK하이닉스는 “초당 8.5Gb 속도를 구현한 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술한계를 다시 한번 돌파했다”며 “이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 더욱 견고히 할 것”이라고 밝혔다.

실제로 최근 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 풀HD급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올 하반기부터 이 제품 양산에 들어갈 계획이다.

한편, SK하이닉스는 LPDDR5X에 이어 이번 제품에도 ‘하이 케이 메탈 게이트’(HKMG·유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막은 차세대 공정) 공정을 적용했다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR5T의 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝, 증강·가상현실까지 확대될 것으로 기대하고 있다.

류성수 SK하이닉스 D램 상품기획담당 부사장은 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다.


raw@heraldcorp.com