EUV 멀티레이어 공정 도입 등 삼성의 차별화 기술력 대거 적용

업계 가장 높은 웨이퍼 집적도 구현·기존 대비 생산성 20% 향상

최신 공정 DDR5에 가장 먼저 적용 “차세대 DDR5 대중화 선도”

삼성전자가 EUV(극자외선) 공정을 적용한 업계 최선단(최소 선폭) 14나노(1nm=10억분의 1m) D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다. 신규 공정이 적용된 DDR5 D램의 모습. [삼성전자 제공]
삼성전자가 EUV(극자외선) 공정을 적용한 업계 최선단(최소 선폭) 14나노(1nm=10억분의 1m) D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다. 신규 공정이 적용된 DDR5 D램의 모습. [삼성전자 제공]

[헤럴드경제=양대근 기자] 삼성전자가 EUV(극자외선) 공정을 적용한 업계 최선단(최소 선폭)의 14나노(1nm=10억분의 1m) D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다. 이번 신규 공정은 차세대 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용해 본격적인 시장 선점에 나선다.

삼성전자는 작년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있다. 이날 14나노급 D램 양산 발표에서는 업계 유일의 EUV 멀티레이어(층) 공정 적용 등 차별화한 기술력을 대거 선보였다. 메모리반도체 분야 경쟁자인 SK하이닉스와 미국 마이크론의 도전에 맞불을 놓겠다는 복안이다.

글로벌 시장조사업체 옴디아에 따르면 지난 2분기 기준 D램 시장 점유율은 삼성전자가 43.2%로 1위를 기록했다. 이어 SK하이닉스(28.2%)와 마이크론(22.7%)이 2위 그룹을 형성하고 있다.

삼성전자의 이번 14나노 D램 양산은 5개의 레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최고 수준의 웨이퍼(반도체 원판) 집적도를 자랑한다. 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며, 소비전력도 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.

신규 공정이 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용되는 것도 주목된다. DDR5는 최고 7.2Gbps(초당 기가비트)의 속도로, 기존 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격을 말한다. 이르면 연말부터 상용화가 예정돼 있다.

최근 인공지능(AI)·머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화하면서 데이터센터·슈퍼 컴퓨터·기업용서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속적으로 커지고 있다.

삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다.

아울러 이번 공정을 기반으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다. 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해서다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며 “고용량·고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 밝혔다.


bigroot@heraldcorp.com