TSMC와 3nm급 기술경쟁 치열

17일 ‘세이프 포럼’서 발표 예정

“공정 개발 한발 더 진전” 평가

삼성전자 세이프 포럼. [세이프포럼 홈페이지]
삼성전자 세이프 포럼. [세이프포럼 홈페이지]

삼성전자와 파운드리 초미세공정을 협업 중인 글로벌 설계 시뮬레이션기업 앤시스가 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정 설계 관련 인증을 획득했다. 실제 제작에 앞서 안정성 여부 등을 시뮬레이션하는 인증으로, 3nm급 공정 개발에 한발 더 다가섰다는 평가다.

3nm급 공정은 삼성전자가 TSMC를 기술력으로 추월하고자 목표로 삼은 초미세공정이다. 삼성전자는 앤시스를 비롯, 세계 주요 팹리스(fabless, 반도체 설계·개발 전문회사) 업체 대표 등과 함께 포럼을 개최, 협력 강화에 나선다.

16일 외신 및 업계에 따르면, 앤시스는 삼성전자 파운드리 사업부로부터 최첨단 다중물리(multiphysics) 솔루션 인증을 받았다.

이는 3nm급 공정에 필요한 설계 툴로, 삼성전자는 이번 인증을 통해 3nm 공정에서 필요한 전력이나 열 안정성 등과 관련된 예측력을 높일 수 있게 됐다.

나스닥 상장사인 앤시스는 CAE(Computer Aided Engineering) 기업으로, CAE는 작성한 설계도를 바탕으로 제품을 제작할 때 제품이 정상적으로 가동할 지를 확인하는 기술이다. 앤시스 시뮬레이션 기술은 삼성전자 외에도 LG전자, 현대차 등 국내 주요 다수 기업에서 활용 중이다.

앤시스는 앞서 14nm, 11nm, 10nm, 8nm 등 기존 공정에서도 삼성전자 파운드리 사업부와 협력 관계를 구축한 바 있다.

이와 관련, 김상윤 삼성전자 파운드리 기술팀 상무는 “삼성전자 파운드리가 앤시스와 오랜 협력 관계를 유지하고 있으며 앞으로도 협력 영역을 계속 확장할 것”이라고 밝혔고, 존리 앤시스 부사장도 “양사가 최첨단 기술 영역에서 고객 요구를 충족하는 기술력을 제공하는 데에 심혈을 기울이고 있다”고 평가했다.

아제이 고팔(Ajei S. Gopal) 앤시스 최고경영자(CEO)는 이번 인증 획득 내용을 오는 17일 예정된 삼성전자 세이프(SAFE, Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 기조연설에서 발표할 예정이다.

세이프 포럼은 지난 10월 열린 ‘삼성 파운드리 포럼’에 이은 파운드리 관련 행사로, 파운드리 생태계 협력 관계 강화가 목적이다. 디자인, 패키지, 설계 등 팹리스를 비롯, 반도체 분야의 다양한 사업체 고위 임원 등이 대거 참석한다.

기조연설자로는 아제이 고팔 CEO 외에 사이먼 시거스(Simon Segars) ARM CEO, 립부탄(Lip-Bu Tan) 케이던스 디자인시스템즈 CEO, 사신 가지(Sassine Ghazi) 시놉시스 CEO 등이 예정돼 있다. 김상수 기자


dlcw@heraldcorp.com