포스텍 손준우·최시영 교수팀 연구 국제학술지 게재

반도체 미세화에 따른 발열 문제 해결 가능한 대체 소재

산화물 반도체인 산화바나듐 실리콘 웨이퍼 적층 기술 개발

삼성미래기술육성사업이 연구 지원한 포스텍 연구팀(뒷줄 왼쪽부터 포스텍 신소재공학과의 손준우 교수, 최시영 교수 앞줄 왼쪽부터 이동규 학생, 박윤규 박사, 심혜지 학생) [삼성전자 제공]
삼성미래기술육성사업이 연구 지원한 포스텍 연구팀(뒷줄 왼쪽부터 포스텍 신소재공학과의 손준우 교수, 최시영 교수 앞줄 왼쪽부터 이동규 학생, 박윤규 박사, 심혜지 학생) [삼성전자 제공]

[헤럴드경제=주소현 기자] 국내 대학 연구진이 반도체에서 발생하는 발열 문제 해결에 적용할 수 있는 연구에 성공해 국제학술지에 게재됐다. 반도체 집적도를 높이는 방향으로 기술이 개발되면서 발생하는 열에 의한 오작동 문제가 업계의 과제였으나 연구팀은 이를 해결할 수 있는 소재를 개발했다.

삼성전자는 포항공대(포스텍) 신소재공학과 손준우·최시영 교수 연구팀의 차세대 반도체 소재 연구가 성과를 인정 받아 지난 18일(현지 시간) 국제학술지 네이처 커뮤니케이션스에 게재됐다고 25일 밝혔다.

반도체 미세화에 따라 중요성이 커지고 있는 가운데 연구팀은 열 문제 해결을 위한 차세대 소재 기술을 연구해 고집적 반도체용으로 사용할 수 있는 새로운 기술을 개발했다.

연구팀은 단결정 산화바나듐(금속 바나듐과 산소가 결합해서 만들어진 화합물)을 실리콘 웨이퍼 위에 적층할 수 있는 기술을 개발했다. 산화바나듐은 특정한 전압에 다다르면 물질의 상이 절연체에서 금속으로 빠르게 바뀌는 상전이(相轉移) 산화물 반도체의 일종이다.

반도체 분야의 기술 혁신은 미세화를 통한 트랜지스터 회로의 집적도를 높이는 방향으로 진행돼 왔다. 반도체는 집적도가 커질수록 소비하는 전력은 줄어들고 동작 속도는 빨라지지만 반도체 소자가 동작하면서 발생하는 열에 의한 오작동 등 새로운 문제가 발생할 가능성이 커졌다.

이를 해결하기 위해서는 트랜지스터의 구동 전압을 낮추고 기존의 실리콘을 대체하는 신규 소재를 개발하거나 실리콘과 신규 소재를 접합해야 했다.

연구팀은 단결정 산화바나듐이 기존 실리콘 대비 전류를 흘릴 때 필요한 전압이 낮아 발열이 덜 되는 성질에 주목했다. 실리콘 웨이퍼 위에 결정 구조가 같은 산화티타늄을 우선 적층한 후 그 위에서 산화바나듐을 단결정 상태로 성장하는 데 성공했다. 실리콘과 결정 구조가 다른 단결정산화바나듐을 웨이퍼에 직접 적층 성장할 경우 발생할 수 있는 전기적인 결함이 고려됐다.

연구팀은 이번에 개발한 소재를 실제 반도체 소자 제작에 활용하기 위해 산화물 반도체와 전극 사이의 저항 감소, 소자 크기에 따른 전기적 특성 제어 등 관련 기술에 대해 연구하고 있다.

손준우 교수는 “이번 연구를 통해 차세대 소재로 주목받고 있는 단결정 상전이 산화물의 우수한 특성을 기존 실리콘 반도체 소재에 적용할 수 있게 됐다”며 “초저전력 초고밀도 메모리 등 기존 한계를 극복할 수 있는 차세대 반도체 소자 개발을 위해 노력하겠다”고 말했다.

연구팀은 지난 2017년 7월 삼성미래기술육성사업 연구과제로 선정돼 3년간 지원을 받았다. 또한 한국연구재단 기초연구실도 이 연구를 지원했다.


addressh@heraldcorp.com