삼성 3나노 양산 공언 약속 지켜

TSMC 추격 확보 교두보 마련할 듯

윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령 서명이 담긴 3나노 공정 반도체 웨이퍼 시제품. [대통령실 제공]
윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령 서명이 담긴 3나노 공정 반도체 웨이퍼 시제품. [대통령실 제공]

[헤럴드경제=김지헌 기자] 삼성전자가 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 공정 양산을 본격화한다. 글로벌 파운드리(반도체 칩 위탁생산) 업계 최초다. 파운드리 1위 업체인 대만 TSMC를 단번에 따라잡을 수 있는 교두보를 마련했다는 평가가 나온다.

29일 업계에 따르면 삼성전자는 30일 차세대 게이트올어라운드(GAA) 기반 반도체 공정 양산 사실을 공식 발표한다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 방식 트랜지스터보다 한단계 진보한 기술로 평가받는다. 삼성전자는 지난해 10월 파운드리 포럼에서 올해 상반기 안에 3나노 양산을 시작하겠다고 선언한 바 있다.

삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 당시 2022년 상반기에 GAA 기술을 적용한 3나노 1세대 반도체를, 2023년에는 3나노 2세대를 양산하겠다고 전했다. 2025년에는 세계 최초로 2나노를 양산할 계획이라고 밝히며 차세대 트랜지스터 기술 선점에 대한 의지를 피력했다.

삼성전자가 GAA 기반 3나노 반도체를 올 상반기 내에 양산하겠다고 공언한 기존 약속을 결국 지키면서, 3나노에 대해 각각 올 하반기, 내년 하반기를 양산 목표 시점으로 내세운 TSMC와 인텔을 앞섰다는 평가가 나온다.

TSMC와 인텔 입장에선 3나노 이후 차세대 공정 선점에 진력할 가능성이 높다졌다는 관측이다. 대만 TSMC는 3나노 제품을 올해 말 양산하면서 기존의 핀펫 기술을 적용하지만, 2025년 상반기 도입을 약속한 2나노 공정부터는 GAA 기술을 사용할 예정이다. 파운드리 시장에 다시 뛰어든 미국의 인텔 역시 3나노 공정에선 핀펫을, 2나노 공정부터 GAA 기술을 접목할 계획이다.

삼성전자는 3나노 공정 관련 고객사도 확보한 것으로 알려졌다. 이를 바탕으로 삼성전자와 TSMC의 글로벌 시장 점유율 격차 축소가 가능할지 주목된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 시장 점유율은 지난해 4분기 18.3%에서 올해 1분기 16.3%로, 2%포인트 가량 하락했다. 반면 TSMC는 같은 기간 시장 점유율이 52.1%에서 53.6%로 증가했다. 지난해 4분기보다 올해 1분기에 격차가 벌어지며 3나노를 발판으로 한 삼성의 추격전이 주목되는 상황이다.


raw@heraldcorp.com