역대 최대규모…공격적 투자로 기술 확보

[로이터]
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[헤럴드경제=정태일 기자]전 세계 반도체 파운드리(위탁생산) 1위 업체인 대만 TSMC가 올해 역대 최대 규모 투자에 나선다. 지난해 대비 50% 가까이 투자금을 늘린 것으로 삼성전자와의 격차를 더욱 벌리기 위한 야심을 전면에 드러냈다.

TSMC는 올해 400억∼440억달러(약 47조5000억∼52조3000억원) 규모의 설비투자 계획을 발표했다. 52조원 수준으로 투자가 집행될 경우 지난해보다 47%나 늘어난 수치이다.

TSMC는 “올해 대만 남부와 미국 애리조나 라인 건설 등에 400억~440억달러를 집행할 것”이라며 “이 가운데 70~80%를 초미세 공정인 2·3·5·7나노미터(nm=1nm는 10억분의 1m) 공정 개발에 투입하겠다”고 밝혔다.

웨이저자 TSMC 최고경영자(CEO)는 “경기 침체 우려에도 불구하고 반도체 산업에 대한 수요는 계속될 것으로 자신한다”고 말했다.

이는 급속도로 성장 중인 클라우드 및 데이터센터, 전기차, 메타버스 등을 겨냥해 늘어나는 반도체 수요에 대응하겠다는 전략으로 풀이된다. 공격적인 투자로 기술을 확보해 파운드리 주문을 독식하겠다는 의도로 업계는 분석하고 있다.

특히 삼성전자의 맹추격을 따돌리기 위한 회심의 결정으로도 읽힌다. 현재 파운드리 시장 점유율(지난해 3분기 기준)은 TSMC가 53.1%로 압도적인 1위이며 삼성전자가 17.1%로 2위다.

반면 세부적으로 7나노 이하 초미세 공정에서는 TSMC와 삼성전자의 점유율이 6대 4 정도로 비교적 대등하다. TSMC로서는 삼성전자의 기세를 견제할 수밖에 없는 상황이다.

삼성전자는 올해 파운드리에 15조원 안팎의 시설투자를 단행할 것으로 알려졌다. 삼성전자는 TSMC보다 앞선 초미세 공정 기술력을 선보이면서 투자 규모의 격차를 극복하겠다는 방침이다. 삼성전자는 올 상반기 3나노 반도체를 세계 최초로 양산하고, 2025년에는 2나노 반도체 생산에 나설 계획이다. 올 하반기 3나노 반도체를 양산하는 TSMC보다 한발 앞선 일정이다.

나아가 메모리반도체 분야 세계 1위인 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서도 2030년까지 세계 정상을 차지하겠다는 목표를 내걸었다. 이를 위해 2030년까지 총 171조원을 투자해 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 박차를 가하겠다는 구상이다. 최근 부지를 확정한 미국 텍사스주 테일러시 20조원 규모 파운드리 2공장도 상반기 착공할 예정이다.


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