제품 성능·원가 경쟁력 동시 확보

ASML ‘12인치 포토 마스크 컨소시엄’ 참여도 검토

지난해 9월 SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 ‘High NA EUV’ 장비를 이천 M16팹에 반입하고 기념 행사를 진행했다. (사진 왼쪽 다섯 번째부터 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 김성한 부사장(구매 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) [SK하이닉스 제공]
지난해 9월 SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 ‘High NA EUV’ 장비를 이천 M16팹에 반입하고 기념 행사를 진행했다. (사진 왼쪽 다섯 번째부터 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 김성한 부사장(구매 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=박지영 기자] SK하이닉스가 2028년 D램 공정에 반도체 노광장비 기업 ASML의 차세대 노광장비인 하이(High) NA 극자외선(EUV) 장비를 도입, 양산을 추진하겠다고 밝혔다. 아울러 TSMC가 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)’ 참여도 검토 중이다.

9일 로이터에 따르면 SK하이닉스는 성명을 통해 12인치 포토 마스크 도입과 관련한 컨소시엄 참여를 검토하고 있다고 밝혔다.

또한 2028년 하이 NA EUV 공정을 D램 양산에 적용하는 것을 목표로 하고 있다고 덧붙였다.

High-NA EUV는 기존 EUV보다 더욱 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있다.

기존 EUV 장비의 NA(개구수)가 0.33인 데 비해 High-NA EUV는 0.55로 높아져 정밀한 회로 형성이 가능하다. 그만큼 제품 성능과 생산성을 한 단계 끌어올릴 수 있다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1a) D램 양산에 EUV를 처음 도입한 이후 첨단 D램으로 적용 범위를 확대해왔다.

SK하이닉스는 High-NA EUV 도입으로 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.

SK하이닉스는 12인치 포토마스크로 업계 표준을 변화하고자 하는 컨소시엄 동참도 검토 중이다.

ASML 등 글로벌 업체들은 그간 노광 공정에서 사용해 온 6인치 포토마스크를 12인치로 변경하는 협의체를 운영 중이다. 삼성전자도 이곳에 참여하고 있다.

삼성전자 또한 이날 2028년까지 첨단 D램 메모리 제조에 하이 NA EUV 도입을 추진한다고 밝혔다.


go@heraldcorp.com