램리서치, GAA 공정 활용 식각장비 신제품 개발

고선택비 기술 기반, 한국 공장 통해 삼성전자에 공급

삼성전자 반도체 라인 모습[삼성전자 제공]
삼성전자 반도체 라인 모습[삼성전자 제공]

[헤럴드경제=김지헌 기자] 램리서치가 차세대 트랜지스터 구조 ‘게이트올어라운드(GAA)’ 공정에 활용할 수 있는 반도체 식각 장비 신제품을 개발해 한국 생산 기지를 통해 삼성전자에 공급할 예정이라고 10일 밝혔다.

삼성전자는 파운드리(반도체 위탁생산) 부문 글로벌 1위인 대만의 TSMC를 따라잡기 위해 올해 3나노(㎚·10억분의 1미터) 공정부터 GAA를 도입, 기술 격차를 좁힌다는 계획이다. 이는 기존 핀펫(FinFET)보다 효율성 등에서 진화한 공정으로, TSMC는 3나노에 GAA를 적용하지 않는 것으로 알려졌다.

이날 램리서치는 첨단 웨이퍼 제조 기술과 화학 소재 솔루션을 적용한 고선택비 식각 장비 제품 포트폴리오를 발표했다. 고선택비 식각 기술은 첨단 로직 구조인 나노시트 또는 나노와이어 형성을 지원하는 기술로, 반도체 제조공정상 평면구조에서 3D 구조로 도약하는 데 필요한 핵심기술이기도 하다.

램리서치 작업 관련 이미지[램리서치 제공]
램리서치 작업 관련 이미지[램리서치 제공]

배근희 삼성전자 반도체연구소 마스터는 “반도체 산업은 더 강력하고 더 빠른 디바이스 성능을 구현하기 위해 계속 나아가고 있다”며 “디바이스의 직접도와 복잡성이 크게 증가하면서 선택적 식각 기술은 최첨단 로직 디바이스 기술을 제조하는 데 매우 중요하다”고 말했다. 이어 “삼성전자의 기술력에 대한 글로벌 수요가 급증하면서, 생산량 증대와 GAA 소자, 그 이상의 로직 디바이스 로드맵 가속화를 위해서 선택적 시각의 광범위한 혁신이 필요하다”고 덧붙였다.

해당 제품군은 ▷웨이퍼 표면 처리 기술과 오염 제거 기술을 제공하는 장비(Argos) ▷산화막과 금속막을 원자층 단위로 식각할 수 있도록 해주는 장비(Prevos) ▷웨이퍼 포면 구조를 손상시키지 않고 공정 간 대기시간을 최소화하는 장비(Selis) 등으로 구성돼 있다.

팀 아처 램리서치 회장은 “램리서치는 반도체 산업의 3D 구조로 이동을 지원하고 차세대 디지털 기술을 현실화하는 데 필요한 웨이퍼 제조 기술 발전을 주도하고 있다”면서 “지난 40년 이상 식각 분야에서 업계 혁신을 주도해온 램리서치는 첨단 로직 및 메모리를 위한 최첨단 고선택비 식각 솔루션 제품군을 출시하며 그 전통을 이어갈 수 있어 자랑스럽다”고 밝혔다.

램리서치 장비 이미지[램리서치 제공]
램리서치 장비 이미지[램리서치 제공]

raw@heraldcorp.com