최장석 상무 ‘세미콘 타이완 2026’

용량·최적화·대역폭·전력효율 강화

“HBM5 성능 2배, 열 저항 20% ↓”

[삼성전자 제공]
[삼성전자 제공]

삼성전자가 메모리 용량 및 전력효율 향상 등을 통해 기술 주도권을 강화하겠다는 비전을 제시했다.

최장석(사진) 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 1일(현지시간) 대만 타이베이에서 열린 국제 반도체 전시회 ‘세미콘 타이완 2026’의 ‘메모리 이그제큐티브 서밋’ 기조연설에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 ‘큐브(CUBE)’ 전략을 발표했다.

큐브 전략은 ‘Capacity(용량)’부터 ▷Utilization(최적화) ▷Bandwidth(대역폭) ▷Efficiency(전력·열 효율)에 이르기까지 네 가지 요소에 걸쳐 삼성전자의 기술 향상 비전을 담고 있다.

최 상무는 이날 “이제 더 이상 PCB 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것”이라고 말했다. 이어 “3D는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심”이라며 “삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화하고 있다”고 전했다.

대역폭과 관련해선 “다이 사이의 거리를 크게 줄여 수직 고속도로를 형성해 획기적으로 개선할 수 있다”고 밝혔다.

또한 “3D의 최종 목표는 단일 비트의 데이터를 이동시키는 데 필요한 에너지를 줄이는 것”이라며 “삼성은 구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하고 있다”고 강조했다.

삼성전자는 현재 8세대 고대역폭메모리인 HBM5를 이전 세대 HBM4E 대비 성능은 2배, 와트당 성능은 20% 높이고 열 저항은 20% 줄이는 것을 목표로 개발 중이다. 앞서 업계 최초로 공개한 차세대 3D 메모리 아키텍처 zHBM은 HBM4E 대비 ▷성능 8배 ▷와트당 성능 3배 향상 ▷열 저항 75~90% 감소를 목표로 하고 있다.

오는 2028년 샘플 제공 예정인 차세대 고성능 낸드플래시 z낸드-O는 D램보다 10배 높은 비트 밀도를 갖춰 거대언어모델(LLM)에 필요한 대규모 용량을 지원한다. 아울러 낸드보다 7배 더 높은 읽기 대역폭과 전력 효율성을 제공하는 것이 강점이다.

삼성전자는 이러한 기술 리더십에 업계 최대 생산능력을 더해 시장 주도권을 빠르게 확대하고 있다. 시장조사기관 옴디아는 삼성전자의 올해 D램 생산능력을 300㎜ 웨이퍼 기준 연간 약 817만5000장으로 전망했다. 이는 SK하이닉스(약 666만장), 마이크론(약 360만장)을 크게 웃도는 규모다.

시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자의 올 2분기 글로벌 D램 시장 점유율은 39%(매출 기준)로 1위를 기록했다. 범용 D램부터 고부가 서버·AI 메모리까지 제품 전반에 걸쳐 경쟁력을 입증했다.

삼성전자의 올해 낸드 웨이퍼 생산량 역시 약 477만장으로 전망돼 SK하이닉스·솔리다임(약 279만장)을 크게 앞설 것으로 예상된다.

시장조사기관 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 2분기 낸드 매출은 약 230억6000만달러로, 29.3%의 시장 점유율을 기록했다. AI 서버 수요 확대에 따른 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 판매 증가로 매출은 1분기 대비 70.7% 증가했다. 김현일 기자


joze@heraldcorp.com