5월 클린룸 공사 착수, 2021년 하반기 최첨단 V낸드 양산

7~9조원 투자…불확실한 경영환경에도 초격차 확대 전략

[헤럴드경제 정세희 기자] 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 약 9조원 안팎의 대규모 자금을 투자해 낸드플래시 생산라인을 구축한다.

삼성전자는 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수해 2021년 하반기부터 양산에 돌입한다고 1일 밝혔다.

지난달 10조원대 규모의 극자외선(EUV) 파운드리 라인 조성 투자계획 발표 후 불과 열흘 만에 이뤄진 이번 낸드플래시 투자 계획을 통해 삼성전자는 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT), 5세대 이동 통신(5G) 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응해 나간다는 전략이다. 반도체업계에서는 이번 투자 규모를 대략 7~9조원대의 투자 규모를 예상하고 있다.

이번에 증설된 낸드플래시 라인에서는 삼성전자의 최첨단 6세대 V낸드 제품이 양산된다.

이에 따라 삼성전자는 현재 증설 작업이 진행 중인 중국 시안(西安) 신규 2라인(X2)에서 5세대 V낸드를 양산하고, 평택캠퍼스에서는 점진적으로 6세대 V낸드를 양산해 나간다는 계획이다. 삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이다.

삼성전자는 이를 통해 2002년 이후 굳건히 지키고 있는 낸드플래시 메모리 시장의 절대 강자 지위를 수성해 나간다는 전략이다.

반도체 전문 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 지난해 4분기 전세계 낸드플래시 제조업체들의 매출 총액은 125억4600만달러로 전분기 대비 8.5% 증가했다. 이 가운데 삼성전자의 낸드 매출은 44억5100만달러로 전 분기보다 11.6% 증가했으며, 매출 기준 점유율은 35.5%로 1위를 기록 중이다.

삼성전자는 이번 증설 투자를 통해 중국과의 낸드플래시 기술 격차 또한 한층 벌려나간다는 계획이다. 중국의 메모리 반도체 기술은 D램에서는 한국에 현저히 뒤지지만, 낸드플래시 메모리는 상당 부분 추격해 왔다는 게 반도체 업계의 대체적인 분석이다.

실제 현재 중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)는 지난해 1분기부터 웨이퍼 투입량 기준 월 5000장 규모의 64단 3D 낸드플래시를 양산 중이다. 이는 삼성전자의 주력 제품인 6세대 낸드플래시와 비교해 기술력이 3~4년가량 뒤지지만 PC나 일부 보급형 제품의 낸드플래시 수요를 충분히 대체할 수 있는 수준으로 분석된다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다.