‘2024 산업기술 R&D 종합대전’서 은탑산업훈장 수상

15년간 HBM 핵심 TSV 요소기술 연구 이어와

10나노급 5세대 D램 미세 공정에 EUV 장비 도입도

김춘환 SK하이닉스 부사장, 은탑산업훈장 수상
김춘환 SK하이닉스 부사장, 은탑산업훈장 수상 [SK하이닉스 뉴스룸]

[헤럴드경제=김민지 기자] 김춘환 SK하이닉스 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2024 산업기술 R&D 종합대전’에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다.

R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 ‘산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상’ 시상식이 진행된다. 산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다.

그는 HBM의 핵심인 TSV(Through Silicon Via) 요소기술 개발의 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 공로를 인정받았다. TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층헤 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술이다.

김 부사장은 TSV 개발에 열을 올렸던 2008년 당시를 회상하며 “TSV 개발 초기에는 고도의 정밀성과 미세한 제어가 요구되다 보니 난이도가 정말 높았다”며 “특히 금속층 증착과 회로 패턴 형성 과정에서 어려움이 상당히 컸다”고 말했다.

유관 부서들과 머리를 맞대고 해결책을 모색한 끝에 SK하이닉스는 ‘R&D의 요소기술 개발→ 제조/기술의 양산 품질 고도화→패키징’으로 이어지는 개발 모델을 완성했고, HBM 시장이 열리는 시점에 맞춰 제품을 내놓을 수 있었다.

김 부사장은 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV(극자외선) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보하고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용하는데도 기여했다. 또, HKMG 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다. 낸드에서는 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다. 결과적으로 SK하이닉스가 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로 도약하는 데 중요한 마중물이 됐다는 평가다.

김 부사장은 “요소기술을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실”이라고 소감을 밝혔다.