황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장). [삼성전자 제공]

[헤럴드경제=김현일 기자] 삼성전자가 올해 고대역폭 메모리(HBM)의 출하량을 전년 대비 최대 2.9배 늘릴 수 있다고 밝혔다. 이는 연초 CES 2024 등에서 밝힌 2.5배보다 상향된 수치다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 국제 반도체 콘퍼런스 ‘멤콘 2024’에서 “고객사 수요에 따라 유연하게 대응하겠다”며 이 같이 말했다. 인공지능(AI) 서비스 확대로 HBM 수요가 급증한 가운데 고객사 주문에 맞춰 출하량을 더 늘릴 수 있음을 시사한 것이다.

HBM은 D램을 여러 층으로 쌓아 올린 형태의 메모리다. 기존 D램보다 데이터 처리 속도가 빠른 것이 특징이다. AI 서버처럼 대량의 데이터를 처리해야 하는 분야를 중심으로 수요가 늘면서 HBM 주문량은 급증하고 있다.

삼성전자는 이날 멤콘 2024에서 중장기 HBM 로드맵도 소개했다. 작년 대비 2026년에는 13.8배, 2028년에는 23.1배 출하한다는 계획이다. 황 부사장은 “지난해 메모리 가격 하락에도 대형 설비투자를 집행해 내년부터 생산능력에서 리더십이 크게 강화될 것으로 전망된다”고 설명했다.

아울러 삼성전자의 6세대 HBM인 HBM4 코드명은 ‘스노우볼트’로 정해졌다고 소개했다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)로 진화하고 있다. 앞서 삼성전자는 5세대인 자사 HBM3E를 ‘샤인볼트’로 명명한 바 있다.

황 부사장은 “양산 중인 3세대(HBM2E)와 4세대(HBM3)에 이어 12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 상반기에 양산해 AI 시대 고성능 고용량 메모리 리더십을 이어가겠다”고 밝혔다.