25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린‘ 세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식’에서 경계현(뒤쪽 오른쪽 첫 번째) 삼성전자 사장과 이창양(앞쪽 왼쪽 첫 번째부터) 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 파운드리사업 부장 사장 등이 축하하는 가운데, 관계자들이 웨이퍼를 옮기고 있다. [연합]

삼성전자가 25일 세계 최초로 3나노미터(1㎚=10억분의 1m) 공정을 통한 반도체 양산에 성공했다. 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 중에서 가장 앞선 기술로, 삼성전자가 이 공정에서 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다 기술 경쟁력에서 앞서고 있다는 것을 입증한 것이다. ▶관련기사 3면

정부는 주요 국가가 반도체를 경제 안보의 핵심 품목으로 인식하고 있다는 점에서 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제안보 차원에서도 의미가 크다고 평가하고 민간투자와 인력양성, 기술개발, 소재부품장비 생태계 구축에 전폭적인 지원을 재천명했다. 또 앞으로 메모리반도체 생산기지이자, 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 대한민국의 위상이 한층 높아질 것으로 기대했다.

산업통상자원부는 25일 이창양 산업부 장관과 경계현 삼성전자 사장 등이 참석한 가운데 삼성전자 화성캠퍼스 V1라인에서 3나노 반도체 파운드리 양산 출하식을 했다고 밝혔다.

3나노 공정 양산은 삼성전자가 2004년 파운드리 사업 진출 이후 18년 만에 거둔 성과다. 특히 삼성전자는 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 ‘GAA(Gate-All-Around)’ 신기술을 세계 최초로 적용했다는 점에서 주목받고 있다. GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫(Fin FET) 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 전력과 면적을 각각 50%, 35% 절감하고 성능은 30% 향상할 수 있다.

산업부 장관이 직접 출하식에 참석하는 것은 정부가 국가 차원에서 파운드리 산업에 대한 지원을 약속하겠다는 의미로 해석된다. 출하식에 한 발 앞서 산업부는 지난 21일 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 발표한 바 있다. 발전전략에는 반도체업계가 올해부터 2026년까지 5년간 340조원 이상을 투자하고 정부는 민간투자를 뒷받침하기 위해 세액공제 확대·노동 및 환경 규제 개선·인프라 등을 패키지로 지원한다는 내용이 담겼다. 또 시스템반도체 시장점유율을 현 3% 수준에서 오는 2030년 10%로 높이고 소재·부품·장비(소부장) 자립화율도 현재 30% 수준에서 50%로 높이는 목표도 수립됐다.

정부는 이번 삼성전자의 3나노 반도체 양산 성과가 국내 소재부품장비 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재·장비·설계자산(IP) 등을 공동개발했다는 점에서 국내 반도체 산업계가 이룬 성과로 평가하고 반도체 초강대국 달성을 위한 민간투자와 인력양성, 기술개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 지원을 나서기로 했다.

이 장관은 “앞으로도 3나노 공정이 높은 수율을 확보해 안정적으로 안착하기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”면서 “지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.

이어 “3나노 파운드리 시장을 안정적으로 확보하기 위해서는 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한 만큼 반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이, 배터리, 미래 모빌리티, 로봇, 바이오 등 ‘반도체 플러스 산업’에 대한 경쟁력 강화방안을 순차적으로 수립해 적극 이행하겠다”고 덧붙였다. 배문숙 기자