0.13미크론급 복합전압소자 공정 기반
“퀄컴 등 전력반도체 선도기업 적극 공략”

［헤럴드경제=신상윤 기자］동부하이텍은 스마트폰 핵심 부품인 전력반도체 제조에 최적화된 공정기술을 개발했다고 21일 밝혔다.

이번에 개발한 기술은 0.13미크론(μㆍ1㎜의 1000분의 1)급 복합전압소자(BCDMOS) 공정을 기반으로 하고 있다. 최근 퀄컴 등 팹리스(fablessㆍ반도체 설계 전문 기업)들이 전력반도체를 설계할 때, 칩 사이즈 최소화를 위해 기존 0.18에서 0.13미크론급으로 개발 공정을 미세화하고 있다.

이에 따라 동부하이텍은 퀄컴, 미디어텍 등 세계 전력반도체 유력 기업들을 대상으로 프로모션에 적극 나서 해당 기술을 널리 알려 관련 파운드리 시장을 선점하는 데 주력할 계획이다.

스마트폰에는 통상 전력반도체 7~8개가 들어간다. 해당 기술은 스마트폰의 핵심부품인 애플리케이션프로세서(AP)와 베이스밴드칩(BBㆍ모뎀칩)에 전력을 공급하는 전력반도체 제조에 최적화돼 있다고 동부하이텍은 설명했다.

AP와 BB는 최근 스마트폰 기능이 늘어남에 따라 더욱 방대하고 다양한 데이터를 처리하게 돼, 이와 연동되는 전력반도체도 다양한 기능을 포함함에 따라 칩 크기가 커지면서 미세화 공정에 대한 요구도 커져 왔다.

보다 미세화된 전력반도체에 대한 전망도 밝을 것으로 예상된다. 시장조사업체 아이서플라이에 따르면 스마트폰ㆍ태블릿용 전력반도체 시장은 지난해 24억달러에서 올해 약 30억달러 규모로 성장함은 물론 2017년까지 연평균 10%의 높은 성장률로 약 35억달러 규모의 시장을 형성할 전망이다.

동부하이텍 관계자는 “AP와 BB용 전력반도체는 다양한 기능으로 칩 크기가 큰 만큼 개당 가격도 2달러 수준으로, 1달러 미만인 다른 종류의 전력반도체에 비해 고가”라며 “성장성이 높고 부가가치가 높은 분야를 적극적으로 공략해 지속적인 성장을 이뤄나갈 계획”이라고 말했다.

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