SK하이닉스는 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반의 128GB(기가바이트) 서버용 D램 모듈을 세계 최초로 개발했다고 7일 밝혔다.SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.

이 제품은 첨단 실리콘 관통전극(TSV·Through Sililcon Via) 기술을 활용해 기존 64GB의 두 배에 해당하는 최대용량을 구현했다. 데이터 전송 속도도 기존 DDR3의 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps로 끌어올렸으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작 전압도 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮춰 에너지 효율을 높였다. SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB D램 모듈에 이어 128GB 제품까지 세계 최초로 개발함에 따라 서버용 D램 시장에서 기술 주도권을 더욱 공고히 할 것으로 기대하고 있다. 시장조사기관인 가트너는 서버용 D램 시장이 모바일기기의 보급 확대와 더불어 2018년까지 연평균 37%의 고성장을 이어갈 것으로 전망했다. DDR4 D램은 내년부터 시장이 본격적으로 열려 2016년 이후 주력 제품이 될 것으로 예상된다.

한편 TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 첨단 반도체 패키지 방식으로 칩 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.

신상윤 기자/ken@heraldcorp.com