SK하이닉스가 업계 최초로 TSV 기술 기반의 초고속 메모리 개발에 성공했다. 초당 128GB의 대용량 데이터 전송이 가능해 향후 고사양 그래픽, 슈퍼컴퓨터 등에 널리 쓰일 것으로 보인다.

SK하이닉스는 26일 업계 최초로 TSV(Through Silicon Viaㆍ실리콘 관통전극) 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memoryㆍ초고속 메모리) 제품을 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 개발된 칩은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 반도체다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.

현재 업계에 나와 있는 최고속 제품인 GDDR5가 초당 28GB의 데이터를 처리하는 것을 감안하면 이보다 4배 빠른 셈이다. 전력소비도 40%가량 낮췄다. 향후 관련 제품들의 시장이 형성될 경우 고사양 그래픽, 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했다. 기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두업체인 AMD사와 공동 개발을 진행했다.

이를 바탕으로 내년 상반기 중 샘플을 고객사들에 전달할 계획이며, 내년 하반기부터는 HBM을 본격 양산해 SoC(System on Chip)와 같이 탑재한 시스템 패키지 형태로 공급할 예정이다. 

홍승완 기자/swan@heraldcorp.com