삼성전자는 6일 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 신개념 3차원 수직구조 낸드(3D Vertical NANDㆍ3D V-NAND) 플래시 메모리<사진>의 양산을 시작했다고 밝혔다. 이번 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리는 업계 최대 용량인 128기가비트(Gigabit) 제품으로, 삼성이 독자 기술로 반도체 기술의 한계를 극복한 것으로 평가된다. 미세화와 대용량화 한계에 봉착한 메모리 기술에 신기원을 개척한 의미가 있다는 분석도 나온다.
삼성전자의 독자 기술 ‘3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀구조’와 ‘3차원 수직적층 공정’ 기술이 동시에 적용된 이 제품은 기존 20나노급 대비 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상됐다.
지금까지 양산된 낸드플래시 메모리는 게이트에 전하를 저장하는 방식으로 40여년 전 개발된 플로팅 게이트(Floating Gate) 구조를 적용했다. 하지만 최근 10나노급 공정 도입으로 셀간 간격이 대폭 좁아져 전자가 누설되는 간섭 현상이 심화되는 등 미세화 기술은 물리적 한계에 도달했고, 이에 삼성전자는 단층으로 배열된 셀을 3차원 수직으로 적층하는 ‘구조 혁신’과 ‘공정 혁신’을 통해 모든 문제점을 한 번에 극복하고 업계 최초로 ‘3차원 메모리 양산시대’를 연 것이다.
삼성전자 관계자는 “미세화 경쟁에서 수직적층 경쟁으로 메모리 기술이 대전환되는 계기가 될 것”이라고 밝혔다.
업계에선 삼성전자가 향후 테라 시대를 주도할 대용량 낸드플래시 양산기술을 확보한 것으로, 3차원 메모리 원천기술을 앞세운 삼성이 반도체 시장에서 절대 경쟁력을 유지할 것으로 보고 있다.
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