삼성전자가 14나노 핀펫(FinFET) 공정을 적용하기 위한 협력 체제를 구축하고 차세대 반도체 공정 개발 속도를 높인다.

삼성전자는 21일 영국의 암(ARM) 사를 비롯해 케이던스(Cadence), 멘토(Mentor), 시놉시스(Synopsis) 등 4개사와 공동으로 14나노 핀펫(FinFET) 공정에 최적화된 최신 IP 및 설계 툴을 사용해 저전력 공정 구현에 성공했다고 밝혔다. 삼성전자는 이들 파트너사와 기존 32ㆍ28나노 HKMG(하이K메탈게이트) 공정에서 협력해왔고, 이번에 14나노 생산을 위해 일종의 생태계(Eco-System)를 구축하고 첫 테스트 칩을 생산했다. 생산한 테스트 칩은 암 사의 CPU 코어를 기반으로 14나노 핀펫(FinFET) 기술을 적용해 누수 전력을 줄이고 에너지 효율을 크게 높였다.

삼성전자는 앞으로 이들 파트너사와 14나노 핀펫(FinFET) 공정을 적용한 제품 생산을 위해 협력해나갈 것이라고 설명했다.

핀펫(FinFET) 기술이란 기존의 반도체를 구성하는 소자의 구조가 2차원적인 평면 구조였던 것에 반해, 누설 전류를 줄일 수 있도록 3차원 입체 구조로 소자를 만드는 기술이다. 3차원 입체 구조에 적용되는 게이트의 모양이 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 이름이 핀펫(FinFET)이라 불린다.

최규명 삼성전자 시스템LSI사업부 전무는 “14나노 핀펫(FinFET) 공정은 높은 성능과 저소비 전력을 통해 PC 수준의 모바일 환경 구현 가능성을 높일 것”이라며 “14나노 공정 기술 적용을 위한 다양한 요건을 충족시켜 고객사로 하여금 최신 제품을 빠르고 효율적으로 출시할 수 있도록 지원할 것”이라고 말했다. 

홍승완 기자/swan@heraldcorp.com