삼성전자와 미국의 인텔, 일본의 도시바 등이 함께 차세대 반도체 제조 기술을 개발하는 프로젝트를 시작했다고 일본 니혼게이자이신문이 18일 보도했다.

해당 신문에 따르면 한미일 뿐 아니라 대만 업체까지 참여한 이번 국제프로젝트의 목표는 오는 2016년가지 반도체 회로의 노선 폭을 현재 제품의 절반 이하인 10나노미터(나노는 10억분의 1)대로 축소해 반도체 용량을 키우는 것이다.

프로젝트를 주도하는 도시바와 호야, 돗판인쇄 등 일본 기업 11개사는 공동 출자로 ‘EULV 기반개발센터(EIDEC)’를 설립했다. 경제산업성의 지원을 받아 이바라키(茨城)현 쓰쿠바시의 연구개발센터에서 공동 개발을 하는 것으로 전해졌다. 프로젝트에는 삼성과 인텔 외에도 한국 하이닉스반도체, 미국 파운드리, 대만 TSMC사 등도 참가했다.

삼성과 도시바는 10나노의 기술을 휴대전화 등에 사용되는 낸드형 플래시메모리등에 활용할 전망이다. 이렇게 되면 우표 크기의 메모리반도체에 현재보다 3배의 용량을 담을 수 있으며, 고화질 영화 100편을 수록할 수 있다.

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