지난 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서 파운드리사업부장 최시영 사장이 발표를 하고 있는 모습.[삼성전자 제공]

[헤럴드경제=김지헌 기자] 삼성 파운드리 사업부가 자사의 반도체 칩 공정에 ‘SF(에스에프)’ 명칭을 도입한 것으로 나타났다. 삼성만의 독자적인 기술력을 대외에 알리는 동시에 반도체 칩 고객사와 기술 소통을 강화하려는 의도로 풀이된다.

삼성은 최근 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서 공정 로드맵을 지칭하는 표현으로 ‘SF’라는 단어를 새롭게 선보였다. 삼성 파운드리 포럼은 삼성전자가 칩 고객사를 상대로 자사 파운드리 비전과 최신 기술을 소개하는 자리인데, 미국(4일)과 독일(7일), 일본(18일)에 이어 네 번째로 지난 20일 국내에서 포럼에서 모두 ‘SF’가 사용된 기술 로드맵이 공개됐다.

기존에 삼성은 7나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 이하의 선단공정에 대해 7LPP, 6LPP, 5LPP, 5LPE-A, 4LPP, 3GAE, 3GAP 등의 표현을 썼다.

그러나 이번 파운드리 포럼부터는 SF를 붙여 표현하고 있다. ▷7LPP→SF7 ▷6LPP→SF6 ▷5LPP→SF5 ▷5LPE-A→SF5A ▷4LPP→SF4 등이다.

지난 6월 세계 최초로 양산을 시작한 3나노 공정의 경우 기존 ‘3GAE’를 ‘SF3E으로’, ‘3GAP’은 ‘SF3’으로, ‘3GAP+’은 ‘SF3P’으로 표기하고 있다. 삼성전자가 2027년 양산을 시작하기로 한 1.4나노 공정의 경우 ‘SF1.4’로 표기한다.

이같은 공정 이름 변화는 삼성전자만의 독자적인 칩 제조 기술을 대외에 분명히 알리고, 기술 수준별 로드맵을 좀 더 분명히 인식하도록 해 고객사들의 이해 편의를 높이려는 의도로 분석된다.

글로벌 반도체 기업들은 자체 공정에 대한 표기법을 마련해두고 있다. TSMC의 경우 ‘N’을 붙여 공정 기술을 표기해왔다. 4나노 공정의 경우 ‘N4’, 3나노 공정의 경우 ‘N3’으로 표기한다. 더 발전된 3나노 기술을 표기할 경우 ‘N3E’, ‘N3P’ 등의 용어를 사용 중이다.

삼성전자 반도체 제조 라인 모습. [삼성전자 제공]

지난해 파운드리 사업 재건을 선언한 인텔은 기존 10나노 슈퍼핀 이후의 차세대 공정에 나노미터라는 명칭 대신 인텔7, 인텔4, 인텔3, 인텔20A, 인텔18A 등의 명칭을 사용하기로 했다. 2024년부터는 ‘옹스트롬’을 의미하는 ‘A’를 공정기술에 붙이기로 했다. A는 옹스트롬(0.1㎚)의 약자이다.

각 회사의 자체 공정 이름 필요성은 점차 높아지고 있다. 이전에는 글로벌 반도체 회사들이 칩 선폭의 물리적인 거리를 표현해 각 회사의 칩 성능 기술력을 알려왔다. 칩이 다른 회사에 비해 더 작은 선폭으로 제작됐다는 점이 대외에 알려질수록, 더 높은 기술력을 확보한 기업으로 부각됐다. 그러나 기술 고도화로 선폭이 10나노 단위까지 줄어들면서 선폭을 표현한 노드 수치와 실제 물리적인 수치간 괴리가 발생하기 시작했단 비판이 제기됐다. 동시에 삼성, TSMC, 인텔 등의 기술 경쟁이 과열되면서, 실제 선폭과 무관하게 각 회사의 칩 성능을 표현하는 별도의 용어 필요성이 더 커졌다는 분석도 제기됐다.

한편 삼성 파운드리는 이번 포럼에서 “4나노 등 초도 수율에 대한 우려가 있었으나 기존 선단노드 수준까지 끌어올렸다”며 “3나노 역시 4나노보다 50% 이상 개선된 성능을 보이고 있다”고 말했다. 앞서 9월 삼성전자는 고위 경영진이 초기 수율이 점차 정상 궤도 수준에 올랐다는 점을 언급하기도 했다.