총 7조 투자…4분기땐 월 10만장 생산
韓 · 中 · 美 글로벌 반도체생산 3거점 구축

10나노급 낸드 생산확대로 주도권 강화
후공정 라인 완공땐 일관생산체제 구축


[시안(중국 산시성)=박영서 특파원] 삼성전자가 9일 중국 시안(西安) 메모리 반도체 공장을 준공하고 10나노급 낸드플래시 메모리의 본격양산에 돌입했다.

삼성전자는 이날 오전 산시(陝西)성 시안시에서 자오정융(趙正永) 산시성 당서기, 권영세 주중 한국대사와 권오현 대표이사 등 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 메모리 반도체 공장의 준공식을 갖고 본격적인 생산을 시작했다.

시안의 가오신(高新)개발구에 자리잡은 삼성전자의 시안 메모리 반도체 공장은 지난 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 완공됐다. 총 34만5000평의 부지에 연면적 7만평 규모로 건설된 이 공장은 10나노급 V낸드플래시(V-NAND) 메모리를 생산한다.

삼성전자 메모리사업부장 김기남 사장은 “생산량은 업계 상황과 시장 수요에 따라 탄력적으로 결정될 것“이라고 설명했다. 양산 초기에는 300mm 웨이퍼 기준 월 7만장 정도를 생산하다가 생산이 본 궤도에 올라가는 올 4분기가 되면 월 10만장의 생산량을 갖출 것으로 전망된다.

시안 반도체 공장 건설에는 70억달러(약 7조원)가 투자됐다. 이는 삼성전자의 역대 중국 투자 가운데 최대 규모다. 게다가 중국에 설립된 삼성전자의 첫번째 반도체 생산라인이다. 해외에서는 미국 텍사스 오스틴 공장에 이어 두번째다. 삼성전자는 올해말 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인까지 완공해 완벽한 일관 생산체제를 완성할 계획이다. 시안 공장의 완공으로 삼성전자는 글로벌 IT 기업들의 생산거점이자 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국 내에서 낸드플래시 제품을 직접 생산하여 공급함으로써 시장과 고객에 더욱 효율적으로 대응할 수 있게 됐다.

V낸드플래시(V-NAND) 메모리란 단층에 머물던 셀을 수직으로 적층해 만든 제품이다. 기존 제품에 비해 속도는 2배 이상 빠르고 소비전력은 절반이다. 이에따라 폭발적인 시장 성장이 기대되는 메모리다.

이와함께 삼성전자는 이번 시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 ‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’도 구축하게 됐다. 이는 시스템 반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 그리고 모든 반도체 제품을 생산·조정하는 한국을 연결하는 포트폴리오를 말한다.

나아가 삼성전자와 시안에 동반 진출한 국내 협력사들도 글로벌 운영체제를 갖추며 미래 성장동력을 마련하게 됐다. 현재 시안에 진출한 국내 협력사 수는 60여개로 향후 100개까지 늘어날 것으로 예상된다.

삼성전자 권오현 대표이사는 기념사에서 “과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 공장이 ‘21세기 디지털 실크로드’의 출발점이 되기를 희망한다”고 강조했다. 


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