[헤럴드경제 = 홍승완 기자] SK하이닉스가 업계 최초로 TSV 기술 기반의 초고속 메모리 개발에 성공했다. 초당 128GB(기가바이트)의 대용량 데이터 전송이 가능해 향후 고사양 그래픽, 슈퍼컴퓨터 등에 널리 쓰일 것으로 보인다.

SK하이닉스는 26일 업계 최초로 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 제품을 개발하는데 성공했다고 밝혔다.

개발된 칩은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 반도체다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.

현재 업계에 나와있는 최고속 제품인 GDDR5가 초당 28GB의 데이터를 처리하는 것을 감안하면 이보다 4배 빠른 셈이다. 전력소비도 40% 가량 낮췄다. 향후 관련 제품들의 시장이 형성될 경우 고사양 그래픽, 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 것으로 예상된다. 

HBM을 SoC와 결합한 SiP 개념도

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층다. 기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두 업체인 AMD사와 공동 개발을 진행했다.

이를 바탕으로 내년 상반기 중 샘플을 고객사들에 전달할 계획이며, 내년 하반기부터는 HBM을 본격 양산해 SoC(System on Chip)와 같이 탑재한 시스템 패키지 형태로 공급할 예정이다.

홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장(전무)은 “TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다”고 밝혔다.

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