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  • SK키파운드리, 성능 20% 높인 공정 출시…자동차 전력 반도체 적용
4세대 0.18마이크론미터(㎛) BCD 공정
[SK키파운드리 제공]

[헤럴드경제=김민지 기자] 8인치 파운드리(반도체 위탁생산) ‘SK키파운드리’가 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상된 4세대 0.18마이크론미터(㎛) BCD 공정을 출시했다고 11일 밝혔다.

3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자를 제공해 모바일·차량용 전력 반도체 등 여러 응용 분야 반도체 설계 고객사를 위한 맞춤형 솔루션을 공급한다. 트리밍용 MTP(Multi-Time Programmable)·OTP(One-Time Programmable)메모리, SRAM 메모리 등도 옵션으로 제공한다.

이번 공정은 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격을만족했다. 1만5000볼트(V) 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계도 가능하다.

SK키파운드리는 이번 4세대 공정이 ▷모바일 디바이스의 배터리 수명 연장, ▷낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현, ▷차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상을 통한 성능 향상 등에 기여할 것으로 기대된다고 밝혔다.

이동재 SK키파운드리 대표는 “개선된 성능의 새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다”며 “전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 게이트 드라이버 IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

jakmeen@heraldcorp.com

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