19일 삼성전자 주가는 전날보다 4% 오른 117만 1000원에 마감했다.
나흘만에 의미있는 반등에 성공한 셈이다.
올들어 전날까지 순매도 공세를 이어가던 외국인은 이날 처음으로 순매수로 돌아섰다.
이정 유진투자증권 연구원은 “글로벌 경기 둔화에 따른 IT 수요부진으로 삼성전자의 실적이 둔화하고 있지만 현 주가는 이를 상당부분 반영한 밸류에이션을 기록하고 있다”면서 투자의견 ‘매수’와 목표주가 160만원을 유지했다.
한편, 삼성전자는 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 ‘4GB HBM2(고대역폭 메모리) D램’을 본격 양산한다
삼성전자에 따르면 HBM D램은 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용해 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다.
TSV 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 후 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 패키징 기술이다.
이번에 양산하는 HBM D램은 2세대 HBM규격인 HBM2를 충족하는 제품으로 기존 1세대 규격보다 2배 빠른 속도를 갖췄다. 또 초절전, 초슬림, 고신뢰성 등을 구현해 차세대 그래픽카드와 초고성능 컴퓨팅 환경이 요구하는 특징을 모두 만족시키는 제품이라는 게 삼성전자의 설명이다.
삼성전자는 지난해 10월 ‘128GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈’을 양산하며 초고속 메모리 시장을 크게 확대한 지 2개월 만에 2세대 HBM D램 양산에 성공하며 차세대 그래픽 D램 시장을 선점했다.
이번 4GB HBM2 D램은 초당 256GB의 데이터를 전송해 현존하는 D램 중 가장 빠른 4Gb GDDR5보다 7배 이상 많은 데이터를 처리한다. 와트(W)당 데이터 전송량도 2배로 높여 전력소모도 크게 줄였다.
그래픽카드 등에 탑재될 경우 평면상에 D램을 배열해야 하는 GDDR5 대비 D램 실장면적을 95% 이상 줄일 수 있다.
삼성전자는 올해 상반기에 용량을 2배 올린 ‘8GB HBM2 D램’을 양산할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 “차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 차세대 HPC를 적기에 도입하는 데 크게 기여하게 됐다”며 “향후에도 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 지속 확보해 나갈 것”이라고 말했다.
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