▶3세대 V낸드로 원가경쟁력 수직상승 = 삼성전자는 세계최초로 3세대(48단) 256기가비트 3차원 V낸드 양산에 성공했다고 11일 밝혔다. 이는 기존 2세대(32단) 128기가비트 낸드보다 데이터 저장 용량을 2배 향상시킨 것으로 업계 최고 용량이다.
256기가 V낸드는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(cell)’을 32단보다 1.5배 더 쌓아올리는 기술이 적용됐다. 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트 용량의 메모리카드를 만들 수 있다.
현재 수직구조로 데이터를 쌓아올리는 V낸드 반도체는 전세계에서 삼성전자만 유일하게 생산하고 있다. 삼성전자는 3세대(48단) 제품을 출시한데 이어 내년에는 단수를 64단까지 높여 생산할 계획이다. 단수가 높아질수록 저장공간인 셀을 더 많이 쌓을 수 있어 고용량 제품 구현이 가능하다. 수익성도 그만큼 좋아진다.
이번에 양산되는 3세대 V낸드는 2세대보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고 소비 전력량도 30% 이상 줄일 수 있다. ‘3차원 원통형 CTF 셀 구조’와 ‘48단 수직 적층 공정’, ‘3비트 저장기술’ 등이 적용됐기 때문이다. 각 셀마다 3개의 데이터를 저장할 수 있어 총 2560억개의 데이터를 읽고 쓴다. 또 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용해 제품 생산성을 약 40% 높였다.
삼성전자는 3세대 V낸드 출시를 계기로 3차원 메모리 기술리더십을 더욱 공고히 한다는 방침이다. 삼성전자는 작년 8월 2세대 3비트 V낸드를 생산한 지 1년 만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산한다.
▶사업영역 확대 독보적 지위 유지=삼성전자는 이번 256기가비트 V낸드가 쓰기 성능과 절전 효과를 높여 글로벌 고객사들이 차세대 대규모 스토리지 시스템을 구축하는 데 기여할 것으로 기대했다. 기존 128기가비트 낸드가 적용된 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 같은 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라 SSD 대중화도 앞당길 것으로 보고 있다.
삼성전자는 테라 SSD 대중화를 위해 지난달 2테라바이트(TB) SSD 제품을 출시한 데 이어 3세대 V낸드 생산을 위한 투자도 계획대로 추진할 예정이다. 삼성전자는 올해 14조원 이상을 반도체 분야에 집중투자할 것으로 예상된다
삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며 “초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것”이라고 말했다.
시장전문가들은 삼성전자의 메모리 반도체 독주 체제는 강화되면서 3분기 반도체 영업이익이 전분기 대비 10%이상 늘어나 전체 실적을 견인할 것으로 보고 있다.
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■용어설명
*3차원 V 낸드(NAND) :평면(2차원) 위에 많은 회로를 넣는 대신 3차원 수직구조로 회로를 쌓아올려 집적도를 높인 플래시메모리 기술이다. 휴대전화, 디지털카메라 등 기기에서 데이터를 저장하는 장치로 쓰인다. 기존 2차원 평면구조의 메모리 공정이 10나노급에 달해 셀간 간격이 좁아져 전자가 누설되는 현상이 심화되는 등 한계를 보이자 이를 극복하기 위한 대안으로 개발되었다. 2013년 8월 6일 삼성전자가 세계 최초로 3차원 V낸드 양산에 성공했다.
* SSD(Solid State Disk): 낸드플래시 또는 D램 등 초고속 반도체 메모리를 저장 매체로 사용하는 대용량 저장 장치. 여기서 말하는 초고속 반도체 메모리는 휴대전화, MP3, 메모리 카드, 디지털카메라 등에 사용되는 데이터 저장용 반도체 소자를 가리킨다. SSD는 기본적으로 메모리 카드와 동작 방식이 유사하지만, HDD를 대체하기 위한 것이기 때문에 용량이 메모리 카드에 비해서 훨씬 크다.
