美산호세 ‘플래시메모리 서밋 2014’ 참가…전격 공개
3비트 평면구조 낸드 비해 생산성 2배ㆍ성능 2배 향상


［헤럴드경제=신상윤 기자］삼성전자가 데이터 저장 효율을 크게 높일 수 있는 3비트 기술을 적용한 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리인 ‘32단 3비트 V낸드’를 처음 선보였다.

6일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시메모리 서밋 2014’ 행사에서 기존 평면 구조 3비트 낸드플래시 제품보다 생산 효율이 2배 높은 3비트 V낸드 제품을 공개했다.

트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 낸드플래시는 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 3비트의 데이터를 저장해, 1비트나 2비트를 저장하는 싱글레벨셀(SLC), 멀티레벨셀(MLC) 제품보다 저장 효율이 2∼3배 뛰어나다.

이 같은 3비트 기술은 지금까지 평면 구조 낸드플래시 제품에만 적용됐으며, 수직 구조의 V낸드에 적용된 것은 처음이다. 특히 이번에 개발한 3비트 V낸드는 셀 적층 수도 32단으로 현재 주를 이루는 24단 적층구조 V낸드보다 집적도가 30% 이상 높다.

이에 따라 3비트 V낸드는 기존 평면 구조 3비트 낸드플래시보다 생산성이 높을 뿐 아니라 성능(처리 속도)도 2배 가까이 향상시키고 전력 소모량은 40%가량 절감할 수 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자는 기존에 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓아 미세 공정의 한계를 극복한 3차원 수직구조 낸드플래시(V낸드)를 지난해부터 유일하게 양산하고 있다. 이어 올해 5월에는 적층 구조를 개선한 2세대 ‘32단 V낸드’ 양산에 들어갔다. 이번에 ‘32단 3비트 V낸드’까지 개발함에 따라 낸드플래시 분야에서 독주체제를 강화할 것으로 전망된다.

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