윤윤중 단장 LG이노텍 상무

  주성엔지니어링(대표 황철주)은 고전압 전력 소자용 SiC 박막 성장 CVD 장비, 성장온도 1700도 이상의 고효율히터, 반응로 등의 기술개발 개발을 추진 중이다. 차세대 전력반도체 시장에서 원가경쟁력 확보를 통해 시장을 선점하려는 차원이다. 현재 초고온에서 웨이퍼 내 균일한 온도 분포를 갖는 히팅시스템과 박막 성장용 소스의 효율 극대화를 위한 공간분할 방식의 가스 주입부와 고속 회전장치가 개발 됐다. 이밖에 반응로 내 성장 부산물 및 입자 제어를 위한 배기시스템도 개발한 상태다. 이에 따라 고전압 전력 소자용 박막 성장 개발의 핵심장치인 초고온 CVD장비를 국산화하게 됐다. 6인치용 SiC 박막 성장장비 국산화를 통한 전력소자의 원가경쟁력도 확보한 것으로 평가된다. 이는 고효율 전력변환 에너지 반도체와 LEDㆍ반도체 공정에 적용 가능한 세라믹소재로서 태양전지, 전기차, 반도체 등에 활용될 수 있다. 향후 2조3000억원의 매출효과를 예상하고 있다. 따라서 향후 전력반도체 시장 선점기회와 함께 대기업과 중소기업 간의 동반성장을 통해 국가 경쟁력 확보에도 기여할 것으로 사업단은 기대하고 있다.
 
이슬기 기자/yesyep@heraldcorp.com