SK하이닉스가 차세대 고사양 모바일 기기에 최적화된 6Gb(기가비트) LPDDR3(Low Power DDR3) 칩을 개발했다. 지난해 6월 세계 최초 개발한 8Gb LPDDR3에 이은 것으로 고용량 모바일 제품군의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.

30일 회사측에 따르면 SK하이닉스는 최근 20나노급 기술이 적용된 6Gb LPDDR3 제품 개발에 성공했다.

새 칩은 저전력과 고용량의 특성을 갖춘 모바일 메모리다. 제품을 4단 적층하면 3GB(기가바이트, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있다. 때문에 기존 방식으로 4Gb 단품으로 6단 적층했을 때에 비해 동작 전력뿐만 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄어들고 패키지 높이를 더 얇게 구성할 수 있어 초박형 모바일 기기에 적합하다. 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 모바일 기기가 요구하는 저전력의 특성도 만족시킨다는 설명이다.

제품의 속도는 1866Mbps이며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)은 최대 초당 7.4GB(기가바이트), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다.

진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장(전무)은 “지난 6월, 세계 최초로 고용량인 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어 이번에 20나노급 6Gb LPDDR3 제품을 개발하게 돼 고용량 모바일 제품의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다” 면서 “특히 고사양 모바일 기기에 최적화된 메모리 솔루션인 6Gb LPDDR3 기반의 3GB 메모리 솔루션으로 시장을 선도할 수 있게 됐다는 데 의의가 있다”고 밝혔다.

홍승완 기자/swan@heraldcorp.com