D램과 플래시메모리 등 기존의 메모리반도체를 대체할 수 있는 P램(상변화 메모리), STT-M램(자기 메모리), Re램(저항변화 메모리)의 국내 특허출원 건수가 지속적으로 증가하고 있다.

D램의 고집적성, 플래시메모리의 비휘발성, S램의 고속 동작을 모두 구현할 수 있는 차세대 메모리반도체로, P램, STT-M램, Re램이 꼽히고 있다.

P램은 물질의 상(相) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식 메모리이고, STT-M램은 자성체의 자기(磁氣) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식의 메모리이며, Re램은 물질의 저항 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식의 메모리를 말한다.

특허청에 따르면, P램, STT-M램, Re램을 모두 합친 특허출원 건수는 2004년보다 2009년에 두 배 이상 상승했다. P램의 출원량이 많았고 STT-M램과 Re램의 출원증가세가 두드러졌다.

국내외 출원인별 출원 통계를 살펴보면, P램, STT-M램, Re램을 모두 합친 특허출원 건수에서 국내 출원인 76%, 국외 출원인 24%로서 국내 출원인의 비율이 훨씬 높았다.

구체적으로, P램에서는 한국 772건(93%), 미국 32건(4%), 일본 16건(2%), Re램에서 한국 234(77%), 일본 32건(11%), 미국 24건(8%) 순으로 한국의 특허출원 건수가 압도적으로 많았다. STT-M램에서 한국 183건(43%), 일본 147건(35%), 미국 78건(18%) 순으로 나타났다.

반도체 업체 중에서 국내 출원인으로는 삼성전자와 하이닉스, 국외 출원인으로는 일본의 도시바, 소니, 히다치, 후지쯔, 미국의 퀄콤, 마이크론, 그란디스 등이 다출원인이다.

주목할 점은 국외 반도체 업체들에 비하여 삼성전자와 하이닉스는 P램, STT-M램, Re램 모든 분야에서 고루 출원하고 있는 것.

차세대 메모리반도체에 대한 최근의 활발한 특허출원은 국내 반도체 업체가 기존 제품 개발뿐만 아니라 미래를 대비한 차세대 메모리반도체 개발에도 노력을 기울이는 한편 연구개발에도 지속적인 투자를 하고 있다는 증거다. 세계 메모리반도체 1, 2위인 삼성전자와 하이닉스가 차세대 메모리반도체 경쟁에 대비해 관련 기술을 착실히 확보하고 있는 것이다.

P램의 연구개발이 비교적 빠르게 진행돼 P램이 상용화의 선두를 달리고 있다. 삼성전자는 2009년 60나노급 공정을 적용한 P램 양산을 개시했고, 휴대전화에 채용되는 노어플래시 대체용으로 기대를 받고 있다. STT-M램과 Re램은 높은 집적도 구현이 가능하고 빠른 동작 속도로 인해 D램과 낸드플래시를 대체할 것이란 예상이다.

특허청 관계자는 “그동안 기존 D램과 플래시메모리 등에서 세계 1위를 지켜왔던 한국이 치열한 차세대 메모리반도체 분야에서도 선행기술을 확보하는 등 반도체 분야의 권좌를 지킬 것”이라고 예상했다. 

<대전=이권형 기자/@sksrjqnrnl>kwonh@heraldcorp.com