이번 연구성과가 게재된 국제학술지 ‘어드밴스드 머티리얼즈 테크놀로지스’ 표지 이미지.[KBSI 제공]

[헤럴드경제=구본혁 기자] 국내 연구진이 고효율 차세대 회로소자 기술을 개발했다. 고성능 마이크로파 발진기, 증폭기 등은 물론, 다중 논리 값 구현을 위한 고속 지능형 스위칭 소자 상용화에 가속도가 붙을 것으로 전망된다.

한국기초과학지원연구원(KBSI)은 소재분석연구부 윤형중 박사 연구팀이 가천대학교 전자공학과 유호천 교수 연구팀과 공동으로 n형 반도체 물질인 산화아연의 나노입자 결정 구조를 조절해, p형 반도체 물질인 실리콘과 접합한 형태의 p-n 접합 NDR 반도체 소자 구현에 성공했다고 25일 밝혔다.

NDR(음성미분저항)은 전압이 증가함에도 전류가 감소하는 독특한 현상으로, 고농도 p-n 접합에서 나타나는 양자 터널링 효과에 기인한다. 전기를 인가하면 일정 수준의 전압에서는 전류가 감소하다가 전압이 더 증가하면 다시 전류가 증가하게 되는데, 이처럼 전류 크기가 감소하는 구간을 NDR 영역이라 한다. 이처럼 특정 전압 조건에서 전기 신호의 힘을 조절할 수 있는 고유의 스위칭 특성으로 인해, NDR은 차세대 전자회로 분야의 핵심 기술로 주목받고 있다.

최근 2차원 소재를 활용해 NDR 소자를 개발하고 있지만, 이는 대면적으로 만들기 어렵고 제작 과정이 복잡하며 초저온 환경 등 특성 발현을 위한 작동 조건이 제한적이다. 또 소자의 전류 레벨이 최소 수십 마이크로 암페어 수준은 돼야 노이즈(noise) 영향 없이 신호를 제대로 전달할 수 있는데, 기존 NDR 소자들은 나노 암페어 수준으로 전기 신호가 매우 미미해 실질적인 상용화에 어려움이 컸다.

연구팀은 산화아연과 실리콘을 접합한 형태의 NDR 소자를 고안했다. 산화아연 나노입자의 결정 크기를 조절해 산화아연 내 실질적으로 에너지(전자)가 존재하지 않는 영역인 에너지 밴드갭을 제어했으며, 이를 기반으로 산화아연에서 실리콘으로 전자가 이동할 때 겪게 되는 내부 전위 장벽을 변화시킬 수 있었다. 이를 통해 전압이 증가함에도 특정 구간에서 전류가 감소하는 NDR 현상을 성공적으로 구현할 수 있었다.

왼쪽부터 김소미 가천대 연구원, 박태현 가천대 연구원, 윤형중 박사, 유호천 교수. [KBSI 제공]

이번에 개발한 NDR 소자는 산화아연-실리콘 접합 과정에서 액체 상태로 박막을 코팅하는 용액 공정을 활용해 대면적으로 제작함으로써. 높은 균일도와 수율 100%의 생산성을 확보했다. 또한 극저온 환경, 고진공 등 외부 자극 없이도 소자의 전류 레벨을 마이크로 암페어 수준으로 크게 향상시켰다. 이는 기존 소자의 전류 레벨 대비 약 1000배 이상 개선됐다.

이번 연구결과는 재료과학분야 국제학술지 ‘어드밴스드 머티리얼즈 테크놀로지스’ 최신호 표지논문으로 게재됐다.

윤형중 박사는 “이번 연구는 물질의 근원적 특성을 파악하고 제어해, 이를 차세대 소자 개발에 응용한 매우 의미있는 연구결과”라며 “앞으로도 다양한 재료 물질의 에너지 구조를 관찰하는 분석기술의 광범위한 활용을 통해 첨단 소자 개발에 기여할 수 있도록 힘쓸 것”이라고 밝혔다.