[헤럴드경제=김성미 기자] 삼성전자가 2030년까지 171조원을 시스템반도체에 투자한다고 밝히면서 구체적인 파운드리(반도체 수탁생산) 육성 전략에 업계의 관심이 쏠린다. 시장의 절반이상을 차지하고 있는 대만 TSMC를 넘어서야하는 거대한 도전이 시작됐다는 평가다.

14일 업계에 따르면 삼성전자가 2019년 공개한 133조원 투자 계획에 전날 38조원을 추가한다고 밝히면서 2030년까지 무려 171조원의 자금이 시스템반도체에 투입될 예정이다. 매년 14조~15조원에 이르는 투자를 단행, 2030년 글로벌 시스템반도체 1위를 수성한다는 전략이다.

업계에서는 삼성전자가 파운드리 시장점유율 1위인 TSMC에 도전장을 던진 것으로 분석하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 1분기 TSMC의 점유율은 56%로 독보적인 1위를 지키고 있으며 2위인 삼성전자는 18%에 머무는 등 여전히 격차가 크다.

이번 발표로 삼성전자가 빠르게 성장하고 있는 파운드리 시장에서 TSMC를 따라잡기 위해 본격적인 행보를 펼칠 것이라는 관측이 나온다.

실제로 삼성전자는 메모리반도체를 넘어 시스템반도체 1위 목표를 발표한 이후 시설투자 규모가 크게 증가했다. 2019년 약 22조5649억원에 이르던 반도체 시설투자는 지난해 32조8915억원으로, 45.8% 불어났다.

주로 메모리반도체에 집중하던 때에는 시설투자가 20조원대를 기록했고 여기에 시스템반도체 키우기에 나서며 약 10조원이 증가한 30조원대 투자를 집행하게 된 것이다. 171조원이라는 전체 투자 금액을 보면 매년 시스템반도체에 10조원이 넘는 자금이 투입될 전망이다.

그러나 일각에서는 삼성전자가 시스템반도체 1위 목표를 달성하기에 충분한 투자금은 아니라는 지적도 나온다. TSMC는 올 초 향후 3년간 1000억달러(약 113조원)를 투자할 것이라고 밝혔다. 파운드리에만 매년 30조원이 훌쩍 넘는 투자가 집행되는 것으로, 삼성전자의 2배에 이른다.

다만 TSMC는 저가부터 고가까지 다양한 제품을 생산하고 있고 삼성전자는 고가형에 집중하는 점을 감안해야한다는 얘기도 있다. 두 회사는 선폭 10㎚(나노미터, 1㎚=10억분의 1m) 이하 ‘최첨단 공정’에선 대등한 경쟁을 벌이는 등 기술 격차는 많이 좁혀졌다는 평가다.

삼성전자가 전날 파운드리 육성을 위해 생산라인 건설에 박차를 가할 뿐만 아니라 첨단 공정 연구개발에 집중하겠다고 발표한 것도 같은 맥락이다. 김기남 삼성전자 DS부문장(부회장)은 지난 3월 정기 주주총회에서도 선단 공정 경쟁력과 안정적인 공급능력을 통해 파운드리 고객 확보에 나설 것이라고 밝힌 바 있다.

반도체 업계 관계자는 “TSMC와 삼성전자는 EUV(극자외선) 노광장비를 활용한 초미세공정에서 치열하게 경쟁하고 있다”며 “삼성이 엔비디아, 퀄컴 등 대형 고객을 확보해가는 것을 보면 TSMC와의 기술 격차를 줄인 것”이라고 말했다.

삼성전자 평택캠퍼스 전경[제공=삼성전자]

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