지난해 8월 이재용(오른쪽) 삼성전자 부회장이 평택 사업장을 찾아 평택 2라인 건설현장을 둘러보는 모습. [삼성전자 제공]

[헤럴드경제 천예선 기자] 삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다고 30일 밝혔다.

평택 2라인은 D램, 낸드플래시, 파운드리(반도체 수탁생산)까지 생산하는 세계 최대 반도체 생산 라인이다. 삼성의 미래 반도체 핵심 생산 거점으로, 이재용 삼성전자 부회장의 초격차 전략이 가속화한 것으로 평가된다.

평택 2라인은 연면적 12만8900㎡(축구장 16개 크기) 규모로 지속적인 증설을 통해 총 30조원 이상이 투입된다. 이 라인에서는 업계 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.

이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인이 구축될 예정이다. 4차 산업혁명 시대 삼성전자의 반도체 초격차 달성을 위한 교두보 역할을 할 것이란 분석이다.

삼성전자는 평택 2라인에 지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했다. 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인도 착공했다. 약 19조원이 투자된 두 라인은 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다.

본격 가동에 들어간 삼성전자 평택 2라인 전경. [삼성전자 제공]

이번 평택 2라인은 지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환이다. 삼성전자는 어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다.

평택 2라인의 직접 고용 인력은 약 4000 명으로 예상되고 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다.

지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.

삼성전자는 평택캠퍼스에 대한 적극적인 투자로 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획이다. 평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐다. 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다.

삼성전자는 올해 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.

최첨단 EUV 공정이 적용된 삼성전자 3세대 10나노급(1z) 기반 16GB LPDDR5 [삼성전자 제공]

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6,400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다.

또한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체들에게 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공함으로써 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획이다. 또 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품"이라며 "프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.