-차세대 엔터프라이즈 서버·데이터센터 위한 ‘128GB TSV풀라인업’ 출시
- TSV 기술 적용해 서버·데이터센터 시장 공략
[헤럴드경제=권도경 기자]삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 ‘128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈’을 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.
앞서 삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 64GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 양산에 성공하면서 3차원 D램 시장을 열었다.
TSV 기술은 D램 칩을 일반 종이 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개 미세한 구멍을 뚫은 뒤 상단과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 기존 와이어(금선)를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다.
이번에 내놓은 128GB TSV D램 모듈은 최대 용량, 초고속, 초절전, 고신뢰성 등을 요구하는 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터 센터를 겨냥한 제품이다
삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램 칩 총 144개로 이뤄져있다. 외관상으로는 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.
기존 와이어를 이용한 64GB D램 모듈에 비해 용량 뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2400Mbps(최대 3200Mbps까지 가능)를 구현했다. 소비전력량은 50% 줄였다.
삼성전자는 연내 TSV 기술을 적용한 128GB DDR4 LRDIMM 제품도 양산해 ‘TSV 풀라인업’을 완성할 계획이다. 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 한단계 높인다는 전략이다.
최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “128기가 D램 모듈 양산으로 글로벌 IT 고객사들이 투자 효율성을 더욱 높인 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다”며, “향후 다양한 분야에서 시장을 선도하는 고객들과 기술 협력을 확대해 소비자의 사용편리성을 높이는데 기여할 것”이라고 강조했다.
한편 삼성전자는 TSV 기술을 활용해 대역폭을 크게 끌어올린 차세대 초고속 컴퓨팅용 HBM(High Bandwidth Memory) 제품에 이어 컨슈머 시장용 제품도 적기에 양산해 새로운 프리미엄 메모리 시장 확대를 주도하고 차별화된 사업 위상을 더욱 강화시켜 나갈 예정이다.
권도경기자/ kong@heraldcorp.com
■용어설명
※ RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)은 데이터센터ㆍ서버용 D램 모듈의 한 종류로 빠른 속도와 높은 신뢰성을 특징으로 한다
※ LRDIMM(Load Reduced Dual In-line Memory Module)은 데이터센터ㆍ서버용 D램 모듈의 한 종류로 대용량 구현에 최적화된 형태다.
