［헤럴드경제=홍길용 기자］삼성전자가 스마트폰의 부진을 반도체로 반전시킬 전망이다. 삼성전자는 D램과 낸드플래시에서 세계 최강이다.

2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 달 20나노미터(nm·1nm=10억분의 1ｍ) 공정 기반의 모바일 D램인 6Gb LPDDR3 D램 양산에 들어갔다. 경쟁사인 SK하이닉스는 금년에야 20나노 공정 개발을 마치고, 내년에 PC D램부터 적용할 계획이다. 모바일 D램까지 양산하려면 빨라야 내년 말이다. 기술 격차가 1년 이상이다. 미국 마이크론테크놀러지는 20나노 공정 전환 계획조차 내놓지 않았다.

20나노 공정은 삼성전자의 기존 주력인 25나노 공정에 비해 30% 이상, 경쟁사들의 주력인 29나노 보다는 50% 이상 생산성이 높다. 300㎜의 웨이퍼로 한번에 생산할 수 있는 칩 수가 30%, 50% 더 많다는 뜻이다. 미세공정을 적용할수록 데이터 처리 속도는 높아지고 전략 소모량은 줄어든다. 원가는 줄고 성능은 높아져 가격경쟁력과 수익성을 동시에 끌어올릴 수 있다. 삼성전자는 20나노 D램 비중을 올해 10%, 내년 50% 이상으로 끌어올릴 것으로 알려졌다.

반도체업계는 벌써부터 초긴장 모드다. 삼성이 20나노의 첨단 공정을 거친 프리미엄 제품을 쏟아낼 경우 D램 가격하락 압력을 높아져 생산효율이 뒤처지는 제조사들은 수익성 악화를 피할 수 없다. 삼성전자는 2012년 2조2500억원을 투자해 증설한 모바일 시스템반도체 생산라인(17라인)의 상당 부분도 최근 D램 생산라인으로 전환했다.

업계 한 관계자는 2일 “삼성전자가 본격적으로 드라이브를 건다면 공급물량이 제한돼 대부분의 D램 업체가 수익을 나눠갖는 지금의 시장 구조는 유지되기 어려울 것”이라고 전망했다.

시장조사기관인 IHS테크놀로지는 전 세계 D램 평균판매가격(ASP)이 지난해 4% 올랐고 올해는 2% 하락하는 데 그치겠지만, 내년에는 17%, 2016년은 27%까지 떨어질 것으로 전망했다.

삼성전자는 낸드플래시에서도 같은 전략을 펼치고 있다. 삼성전자는 지난 8월 생산효율을 기존 제품보다 2배로 높인 ‘3세대 V낸드’ 제품을 처음 선보였다. 수직구조 낸드플래시(V낸드)로는 처음으로 트리플레벨셀(TLC)로 불리는 ‘3비트’ 기술까지 적용했다.

삼성전자는 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓아 미세공정의 한계를 극복한 3차원 수직구조 낸드플래시를 지난해부터 유일하게 양산하고 있다. 일본 도시바와 SK하이닉스 등과의 기술 격차는 2년 이상으로 평가된다. 삼성전자는 70억 달러(7조3000억원)를 투자한 중국 산시성 시안의 V낸드 생산기지도 지난 5월부터 가동 중이다.

한편 삼성전자 영업이익에서 반도체사업부의 비중이 스마트폰을 담당하는 IT모바일(IM) 부문을 앞지를 것이라는 관측도 있다. 증권가에서는 당장 3분기 영업이익에서 IM부문은 2조원대로 줄어드는 반면 반도체사업부는 2조원을 넘을 것으로 보는 시각이 많다.

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